公自轉蝕刻機

適用於濕式蝕刻製程,去除晶圓的多餘薄膜。奈米級霧化噴頭搭配獨家專利公自轉技術,可加速藥水反應,有效控制藥水方向,節省藥水使用,提高蝕刻均勻性、產能,減少側蝕現象。
可依客戶製程需求提供多顆藥液噴頭,供液/混酸系統也可依需求設計。

Functional Equipment

功能配備

清洗槽/供液系統

標配:
中心轉軸軸速可程控
製程藥液:有機/酸/鹼
原液不足警示
過濾系統
水阻計



選配:
自轉轉速可程控
公轉轉速可程控
藥液控溫系統
藥液回收系統
水阻控制系統
混酸系統

晶圓識別傳輸

標配:
晶圓厚度200-750µm
晶圓翹曲 <±0.5mm
晶圓中心定位器
靜電防護
Barcode讀取
RFID讀取
EFEM

選配:
晶圓厚度<200µm
晶圓翹曲<±6mm

安全檢測

標配:
Class 100
SEMI認證
門檢感應器
濃度感應器
漏夜檢知
潔淨等級


選配:
最高至 Class 2
危害氣體感應器
Co2 消防系統
SECS/GEM

Experimental Results

實驗結果